3 µm

procédé de fabrication de semi-conducteurs

3 µm (ou encore 3 000 nm) est l'évolution du procédé de fabrication des semi-conducteurs précédent à 10 µm. Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1975 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel.

Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 1.5 µm.

Vue du die d'un microprocesseur Intel 8085A.
Vue du die d'un microprocesseur Intel 8085A.

Produits fabriqués avec un procédé à 3 µm

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