Fichier:N-V charge control PL maps.jpg
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Description
| Description | Top: Schematic figure of an in-plane Al Schottky diode on H-terminated diamond surface. A confocal μPL measurement was performed at the edge of the Al contact (green spot) to investigate the bias-voltage dependent variation of NV emission in the depletion region. Bottom: A PL-intensity mapping performed on the diamond surface at the edge of the Al-Schottky-contact (rectangle area on the left with lower PL intensity). Compared to the zero-potential condition (a) there are bright spots visible at the edge of the Al-contact (b) upon applying a reverse bias potential of +20 V indicating NV− photoluminescence in the hole depletion region of the Schottky junction. |
| Date | |
| Source | http://www.nature.com/articles/srep12160 |
| Auteur ou autrice | C. Schreyvogel, V. Polyakov, R. Wunderlich, J. Meijer & C. E. Nebel |
| Autorisation (Réutilisation de ce fichier) |
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| Date et heure | Vignette | Dimensions | Utilisateur | Commentaire | |
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| actuel | 15 mars 2017 à 08:45 | | 2 046 × 3 629 (1,84 Mio) | Materialscientist | =={{int:filedesc}}== {{Information |description=Top: Schematic figure of an in-plane Al Schottky diode on H-terminated diamond surface. A confocal μPL measurement was performed at the edge of the Al contact (green spot) to investigate the bias-voltage... |
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