Injection de spin

Cet article est une ébauche concernant la physique quantique.

L'injection de spin est le transfert de porteurs de charge^[a] ayant un spin polarisé, depuis un contact magnétique vers un semi-conducteur non magnétique^[1].

Une injection de spin à haut rendement a été réalisée pour la première fois en 1999^[2]. Depuis, plusieurs expériences ont démontré avec succès l'injection de spins dans des semi-conducteurs et développé d'autres concepts, comme les filtres à spin et les dispositifs d'alignement de spins^[1].

Notes et références

Notes

↑ Ces porteurs de charge sont généralement des électrons (chargés négativement) ou des trous (chargés positivement).

Références

1 2 (en) G Schmidt, « Concepts for spin injection into semiconductors—a review », Journal of Physics D: Applied Physics (en), vol. 38, n^o 7,‎ 17 mars 2005, article n^o R107 (DOI 10.1088/0022-3727/38/7/R01).
↑ (en) R. Fiederling, M. Keim, G. Reuscher, W. Ossau, G. Schmidt et al., « Injection and detection of a spin-polarized current in a light-emitting diode », Nature, vol. 402,‎ 16 décembre 1999, p. 787-790 (DOI 10.1038/45502 ).

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[1] Ces porteurs de charge sont généralement des électrons (chargés négativement) ou des trous (chargés positivement).

[Schmidt2005-2] 1 2 (en) G Schmidt, « Concepts for spin injection into semiconductors—a review », Journal of Physics D: Applied Physics (en), vol. 38, n^o 7,‎ 17 mars 2005, article n^o R107 (DOI 10.1088/0022-3727/38/7/R01).

[3] (en) R. Fiederling, M. Keim, G. Reuscher, W. Ossau, G. Schmidt et al., « Injection and detection of a spin-polarized current in a light-emitting diode », Nature, vol. 402,‎ 16 décembre 1999, p. 787-790 (DOI 10.1038/45502 ).

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