« Germanium » : différence entre les versions

L'effet [[transistor]] a été observé en [[1948 en science|1948]] dans du germanium<ref name=FC/>. Il a servi de substrat semi-conducteur jusqu'à ce que le silicium prenne sa place, vers les [[années 1970]]. Des transistors au germanium sont encore employés de nos jours comme composants principaux de certaines [[Pédale d'effet|pédales d'effet]] pour guitare électrique, dites « ''[[fuzz (effet audio)|fuzz]]'' », pour leur sonorité supposée particulière et qui serait appréciée des amateurs de sons « [[années 1970]] ». Aujourd'hui, il est plus utilisé dans le domaine des [[Haute fréquence|hautes fréquences]], pour la réalisation de [[diode]]s à faible chute ({{nb|0.3 V}} environ, application en détection) du [[poste à diode]] et dans les [[Cellule photovoltaïque|cellules photovoltaïques]] multi-jonction pour utilisations spatiale et terrestre après concentration. On le trouve également à l'état d'alliage ou de multicouches avec le silicium ([[Silicium-germanium|SiGe]]). À l'origine, les motivations de son dépôt en alternance avec le Si reposaient sur la possibilité de rendre la [[Théorie des bandes|bande interdite]] du Si et du Ge [[Gap direct et gap indirect|directe]] (cette propriété étant importante pour les applications [[opto-électronique]]s). Cette technique est aussi utilisée pour introduire des contraintes qui améliorent la mobilité des porteurs dans les transistors à effet de champ. Les transistors SiGe sont des transistors bipolaires à hétérojonction qui sont couramment utilisés dans le domaine des [[Micro-onde|hyperfréquences]] en amplification faibles signaux ([[facteur de bruit]] faible).