John Battiscombe Gunn

Biographie
Naissance	13 mai 1928; Le Caire
Décès	2 décembre 2008 (à 80 ans); Mount Kisco (New York, États-Unis)
Nationalité	britannique
Formation	Trinity College; Solebury School (en); King Alfred School (en)
Activités	Physicien, ingénieur
Membre de	Institute of Electrical and Electronics Engineers; Académie américaine des arts et des sciences; Académie nationale d'ingénierie des États-Unis
Distinctions	Liste détaillée Médaille commémorative IEEE Morris N. Liebmann (1969); Médaille John-Scott (1971); Membre de l'IEEE; Membre de la Société américaine de physique; IBM Fellow

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John Battiscombe Gunn (né le 13 mai 1928 en Égypte - mort le 2 décembre 2008^[1]) est un physicien britannique. Il a donné son nom à l'effet Gunn et à la diode Gunn basée sur cet effet.

Décorations

1969 - Médaille commémorative IEEE Morris N. Liebmann (« Pour sa contribution sur les solides générateurs de miro-ondes »)

Notes et références

↑ « John Gunn » sur le site microwaves101.com

Liens externes

Ressource relative à la recherche :
- Digital Bibliography & Library Project
Notices dans des dictionnaires ou encyclopédies généralistes :
- Gran Enciclopèdia Catalana
- Treccani

[1] « John Gunn » sur le site microwaves101.com

[1]

Naissance	13 mai 1928 Le Caire
Décès	2 décembre 2008 (à 80 ans) Mount Kisco (New York, États-Unis)
Nationalité	britannique
Formation	Trinity College Solebury School (en) King Alfred School (en)
Activités	Physicien, ingénieur