« Silicène » : différence entre les versions

De même que le [[silicium]] et le [[carbone]], situés l'un en dessous de l'autre dans le [[tableau périodique des éléments]], partagent de nombreuses propriétés chimiques, mais présentent tout de même d'importantes différences, le silicène et le [[graphène]] diffèrent en particulier par leur organisation spatiale<ref name=scp>{{en}} Jose, Deepthi et Ayan Datta, ''Structures and Chemical Properties of Silicene: Unlike Graphene'', Accounts of Chemical Research 47.2 (2013): 59312095509002-602. Print.</ref> : le graphène est rigoureusement planaire, alors que les hexagones du silicène sont gauchis<ref name=scp />. Cette structure donne au silicène la propriété exceptionnelle d'avoir une [[théorie des bandes|bande interdite]] qu'on peut faire varier sans [[dopage (semi-conducteur)|modification chimique du matériau]], par exemple en lui appliquant un [[champ électrique]] extérieur<ref name=scp />. La réaction d'[[hydrogénation]] du silicène est également beaucoup plus [[réaction exothermique|exothermique]] que celle du graphène. Enfin, les [[liaison covalente|liaisons covalentes]] entre atomes de silicium ne présentant pas de {{lien|pi-empilement|trad=stacking (chemistry)}}, les plans de silicène ne forment pas d'agrégats semblables au [[graphite]]<ref name=scp />.

Contrairement au cas du [[graphène]], les premières études du silicène ont montré que divers [[dopage (semi-conducteur)|dopants]] permettaient d'ajuster la [[Théorie des bandes|bande interdite]] du système<ref name=TBG>{{en}} Ni, Zeyuan, HongXia Zhong, Xinhe Jiang, Ruge Quhe, Yangyang Wang, Jinbo Yang, Junjie Shi, et Jing Lu, ''Tunable Band Gap and Doping Type in Silicene by Surface Adsorption: Towards Tunneling Transistors'', Academy for interdisciplinary Studies, Peking University, Beijing 100871 P.R. China 1 (2013), {{p.}}1-30.</ref>. Cela permet d'envisager la fabrication de [[Composant électronique|composants électroniques]] demandant des bandes interdites spécifiques ; Il a été montré que la largeur de cette bande peut être amenée à un minimum de {{unité/2|0.1|eV}}, considérablement inférieur à la valeur ({{unité/2|0.4|eV}}) des [[transistor à effet de champ|transistors traditionnels à effet de champ]] (FET)<ref name=TBG />.