« Semi-conducteur » : différence entre les versions
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==== Dopage ''N'' ====
Le dopage de type ''N'' consiste à augmenter la densité en électrons dans le semi-conducteur. Pour
Par exemple, dans un cristal de [[silicium]] (Si), chaque atome de silicium a quatre électrons de valence ; chacun de ces électrons formant une [[liaison covalente]] avec un électron de valence d'un des quatre atomes voisins. Pour doper ce cristal de silicium en ''N'', on y insère un atome ayant cinq électrons de valence, comme ceux de la {{nobr|colonne V}} (VA) de la [[Tableau périodique des éléments|table périodique]] : le [[phosphore]] (P), l'[[arsenic]] (As) ou l'[[antimoine]] (Sb).
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